V-FET o BJT.

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Mensaje publicado por Danny Avila (Dr. Clip) el Julio 11, 2006 a las 15:40:17:

En respuesta a: mosfet o bipolar?? publicado por jorge montes el Julio 11, 2006 a las 12:50:49:

Amigo Jorge:

En principio tengo que establecer mi desacuerdo con la razón emitida como fundamental por Francisco del Hoyo pues como ejemplo práctico, el MSL-4 (MSL-6, 650P, etc.) de Meyer Sound utiliza un amplificador Clase H de dos canales basados en los MOSFETs HEXFETs de la serie IRFP de International Rectifier; el MILO de Meyer Sound utiliza un amplificador Clase H de cuatro canales basados en Mosfets del tipo V-FET (MILO HP-4) así como los QSC Audio PL6.0 II y PL9.0 PFC tienen una etapa de potencia también basada en estos dispositivos.

La curva de ganancia de los MOSFETs es menos dependiente de la tempertura y por su alta capacitancia se pueden acoplar directamente entre cada etapa sin la necesidad de componentes adicionales como el caso de las etapas basadas en BJTs; la resistencia interna formada en el canal entre el Drenaje (Drain) y la Fuente (Source) suele ser mucho más baja que en un BJT por lo que se producen menos perdidas de energía y por tanto hay menos calentamiento. Los V-FET modernos son mucho más rápidos en cuanto al tiempo de encendido y apagado reduciendo sustancialemente la distorsión en el cruce por cero (Zero Crossing Distortion) en topologías de Clase B y exhiben un excelente manejo de corriente (A) en el Drenaje (Drain) en comparación con el colector de un BJT. Por su alta velocidad de transición los V-FETs son ideales para configuraciones de potencia media Clase A pues tienden a desperdiciar menos energía (un problema natural de esta topología).

La mayoría de los amplifiadores Digitales (Clase D, I) están basados en MOSFETs en su etapa de potencia y en un híbrido denominado IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) que combina la compuerta (Gate) de un MOSFET con el Colector y Emisor de un BJT NPN para aplicaciones de switching en fuentes de poder con o sin PFC.

El principal inconveniente para la implementación de amplificadores comerciales basados en MOSFETs probablemente sea su precio, el cual suele ser hasta tres veces mas elevado que el de un transistor bi-polar caro y la necesidad de unificar en lo más mínimo las caracteristicas y especificaciones del grupo de V-FETs que trabajarán en paralelo (selección previa). Los V-FETs son dispositivos sensibles a la electricidad estática y su operación y manejo debe observar normas y regulaciones que hacen más costosa su implementación a gran escala.

Saludos.

D.

• MILO HP-4 .

Respuestas:

• Re: V-FET o BJT. Francisco del Hoyo 16:11:00 07/11/06 (7)
  • Re: V-FET o BJT. Aureliano Hernández 11:53:23 07/12/06 (0)
  • ¿Y? Danny Avila (Dr. Clip) 16:43:51 07/11/06 (5)
    • Re: ¿Y? Francisco del Hoyo 17:08:50 07/11/06 (4)
      • Información aportada. Danny Avila (Dr. Clip) 17:46:20 07/11/06 (3)
        • Re: Información aportada. Francisco del Hoyo 01:28:58 07/12/06 (0)
        • Re: Información aportada. edzon garcia pacheco 19:21:23 07/11/06 (1)
          • Si. (no text) Danny Avila (Dr. Clip) 19:29:18 07/11/06 (0)

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